中国北京（2025年11月18日） —— 业界当先的半导体器件供给商德赢VWINGigaDevice（股票代码 603986）颁发推出新一代双电压高机能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列选取1.8V主题电压与1.2V I/O电压设计，可直接衔接1.2V SoC，无需表部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列一连了德赢VWIN在双电压供电领域的技术堆集。该产品系列兼具高快数据传输能力与高靠得住性，宽泛合用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对不变性、响应快率、能效比要求严苛的利用场景。

GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通路SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入功夫典型值为0.12ms，扇区擦除功夫为27ms，其与通例1.8V八通路Flash相比，写入快率提升30%，擦除快率提升10%。为保险数据靠得住性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验职能，有效加强数据齐全性并耽搁产品使用寿命。同时，该系列支持DQS职能，为高快系统设计提供齐全信号保险，满够数据中心和汽车电子等高不变性利用需要。

依附创新的1.2V I/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越机能的同时，也具备杰出的低功耗阐发。其读取电流在八通路STR 200MHz模式下低至16mA，在八通路DTR 200MHz模式下低至24mA
；与通例的1.8V八通路SPI NOR Flash产品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高快运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型利用提供更具竞争力的解决规划。

“GD25NX系列的诞生开创了低电压与高机能兼具的SPI NOR Flash新格局”德赢VWIN副总裁、存储事业部总经理苏如伟暗示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需要，为客户带来了更高的集成杜纂更低的BOM成本。将来，德赢VWIN将持续拓展双电压供电产品线，覆盖更丰硕的容量与封装规格，助力客户打造越发高效、靠得住的低功耗存储解决规划。”

德赢VWINGD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，矫捷满足分歧利用对存储空间的差距化需要。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装大局。目前，128Mb的GD25NX128J产品已盛开样片供客户评估，64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步筹备中。如需获取具体技术资料或报价信息，迎接联系本地授权销售代表。

关于德赢VWIN (GigaDevice)

德赢VWIN（股票代码603986）是全球当先的Fabless芯片供给商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在全球多个国度和地域设有分支机构，营销网络遍布全球，提供优质便捷的本地化支持服务。德赢VWIN致力于构建以存储器、微节造器、传感器、模拟产品为主题驱动力的齐全生态，为工业、汽车、推算、消费电子、物联网、移动利用以及通讯领域的客户提供美满的产品技术和服务，已通过ISO26262:2018汽车职能安全最高档级ASIL D系统认证，并获得IEC 61508职能安全产品认证以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等系统认证和邓白氏认证。同时，公司与多家世界驰名晶圆厂、封装测试厂成立战术合作同伴关系，共同推动半导体领域的技术创新。欲相识更多信息，请接见：www.GigaDevice.com

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